넥스페리아, 신제품 앞세워 GaN FET 시장에 본격 진출

2019-11-20
박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

넥스페리아 (Nexperia)가 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 디바이스를 출시하고 GaN(gallium nitride) FET 시장에 본격 진출한다고 밝혔다.

신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다.

넥스페리아는 xEV, 데이터센터, 텔레콤 인프라, 산업 자동화, 고급 전원장치 등 고성능 애플리케이션 영역을 겨냥하고 있다. 넥스페리아의 GaN-on-silicon 공정은 품질과 신뢰성 면에서 검증된 강건하고 성숙한 기술이며 기존 실리콘 팹 설비로도 웨이퍼 처리가 가능할 정도로 확장성 역시 매우 뛰어나다. 뿐만 아니라 이 디바이스는 업계 표준 TO-247 패키지로 공급되기 때문에 사용자들은 익숙한 패키지에서 GaN의 탁월한 성능을 활용할 수 있다.

타깃하는 주요 시장은 자동차 분야

넥스페리아 MOS 사업그룹을 총괄하는 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs) 제너럴 매니저는 “이번 신제품 출시는 고전압 시장 영역에 진출하기 위한 전략적 접근으로서, 넥스페리아는 이제 xEV 전력 반도체 애플리케이션에 적합한 기술을 제공할 수 있게 되었다. 우리의 GaN 기술은 양산 체제에 바로 적용이 가능하며 대규모 애플리케이션을 충족할 수 있는 확장성도 갖추고 있다"고 말했다.

또한 그는 "넥스페리아가 겨냥하고 있는 핵심 영역은 자동차 분야로서, 이 분야는 자가용이나 대중교통 수단으로 선호되던 기존 내연기관 자동차를 전기 자동차가 대체해 나가면서 향후 20년 동안 엄청난 성장이 예상된다”고 말했다.

#반도체 #부품

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