TI, 내년 텍사스 주에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 공장 착공
  • 2021-11-18
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

TI 셔먼 부지, 반도체 팹을 최대 4개까지 수용 가능

텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 텍사스 주 셔먼에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장(또는 "팹")을 구축하고, 내년에 공사를 시작할 계획이라고 발표했다.

텍사스 북부에 위치한 TI의 셔먼 부지는 반도체 팹을 최대 4개까지 수용할 수 있어 산업용 및 차량용 반도체를 필두로 늘어나는 반도체 시장의 수요를 충족할 수 있을 것으로 기대된다. 첫 번째와 두 번째 반도체 팹은 2022년부터 착공할 예정이다.



리치 템플턴 텍사스 인스트루먼트 회장 겸 사장 겸 CEO는 "셔먼 부지에 구축될 아날로그 및 임베디드 프로세싱 300mm 팹은 TI의 제조 및 기술 경쟁력을 강화하고, 향후 수십 년간 고객의 수요를 지원하기 위한 장기적인 제조 역량 강화 계획의 일부" 라며, “우리는 북부 텍사스에 90년 이상 헌신해왔으며, 이번 결정은 셔먼 지역사회에 대한 우리의 강력한 파트너십과 투자를 보여주는 증거” 라고 말했다.

첫 번째 반도체 팹의 첫 생산 일정은 2025년으로 예상된다. 최대 4개의 반도체 팹을 수용할 수 있는 셔먼 부지의 잠재적 투자 가치는 약 300억 달러에 이르며, 시간이 지남에 따라 3000개의 새로운 일자리를 창출할 것으로 기대된다.

새로운 반도체 팹은 텍사스 주 댈러스의 DMOS6, 텍사스 주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 2022년 하반기에 첫 생산을 시작하는 RFAB2 등 TI의 기존 300mm 반도체 팹들을 보완할 예정이다. 또, TI가 최근 인수한 유타주 레히의 LFAB은 2023년 초에 생산을 시작할 것으로 예상된다. 
 

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